膜上，使其软化，然后使用溶剂将其溶解冲走，使薄膜下的硅暴露出来。

该过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则变软。

通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。

这时可以用上一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。

这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了，而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。

这个技术非常的复杂，也是非常关键的一个步骤，也是成本非常高的一个部分，可以说是制作芯片的核心技术之一，难度是非常大的。

完成这些之后，接下来就是离子注入，又叫蚀刻阶段。

使用刻蚀机在裸露出的硅上刻蚀出N阱和P阱，并注入离子，形成PN结（逻辑闸门）；然后通过化学和物理气象沉淀做出上层金属连接电路。

离子注入技术又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性技术。

其基本原理是：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。

此项技术由于其独特而突出的优点，已经在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，取得了巨大的经济效益和社会效益。

在完成离子注入之后，接下来就是清楚残余光刻胶的步骤了。

此刻，单晶硅内部的一部分硅原子已经被替换了，这些被替换的就可以产生自由的电子和空穴，到这个步骤其实也已经差不多了。

最后就算绝缘层的处理，利用复杂的技术完成绝缘层，然后用光刻技术在绝缘层上开孔，以方便已导出电极。

然后在利用沉淀铜层，在溅射法的帮助下，在硅片的表面形成铜层的布置，在用光刻技术进行全方位的雕刻，形成一个个有用的原件。

这一个步骤会出现数以百亿的集体管，然后在把这些晶体管连接起来，经过反反复复的工序和加工组，最终连通电路网络。

然后每一层完成p磨平